Ученым ТУСУР удалось разработать транзистор без использования драгоценных металлов, не имеющий мировых аналогов, сообщил НИА Томск сотрудник пресс-службы вуза.
Проект, реализующийся в научно-образовательном центре ТУСУРа «Нанотехнологии», посвящен созданию транзисторов с металлизацией на основе меди, не имеющих мировых аналогов.
В настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются драгоценные металлы: платина, палладий, золото, что, влияет на конечную стоимость приборов. Эти металлы могут быть заменены менее дорогой альтернативой – медью. По мнению томских разработчиков, отказ от применения драгоценных металлов и переход к металлизации на основе меди при изготовлении транзисторов позволит не только уменьшить себестоимость их производства, но и повысить технические характеристики.
Ученые ТУСУРа предложили собственный оригинальный метод — металлизацию транзистора с использованием соединения меди с германием, которое также получается оригинальным способом.
«Нашей основной задачей было создание транзистора с высокой надежностью параметров, — сказал руководитель проекта по разработке технологии производства транзисторов, аспирант кафедры физической электроники Евгений Ерофеев. — В прошлом году мы подали заявку на изобретение на данный эффект: нам удалось разработать первый в мире нанотранзистор, который имеет параметры не хуже, чем медный, однако по надежности превосходит его в разы»
Испытания транзистора – ключевого элемента интегральных схем – прошли успешно, поэтому в 2012 году разработчики планируют создать на его основе технологию изготовления монолитной интегральной схемы и подать заявку на патент США.
После этого, по словам Евгения Ерофеева, начнется внедрение готовой технологии в производство, которое будут осуществлять специалисты научно-производственной фирмы «Микран». Разработка аспиранта ТУСУР является одним из направлений совместной работы университета и компании в рамках проекта по созданию высокотехнологичного производства по 218 постановлению Правительства РФ.
Помимо Томска, собственную разработку молодой ученый уже представлял на ведущих конференциях по СВЧ-электронике в Париже и Манчестере (Англия), где получил высокую оценку иностранных специалистов.
|